Após os anúncios de armazenamento em flash da Intel e da Samsung, agora é a vez da Sandisk e da Toshiba anunciarem detalhes de seus chips 3D NAND, conhecidos como BiCS. Produção piloto para o BiCS terá início no segundo semestre de 2015.

"Utilizamos nossa primeira geração de tecnologia 3D NAND como um veículo de aprendizado, permitindo-nos desenvolver nossa segunda geração de NAND 3D, que acreditamos irá fornecer soluções de armazenamento atraentes para nossos clientes", disse o Dr. Siva Sivaram, vice-presidente executivo de tecnologia de memória da SanDisk.

O BiCS é o primeiro chip de memória flash 3D NAND de 48 camadas do mundo, e é um dispositivo de 128 GB (16 GB) de duas bits por célula. As empresas afirmam que o processo de empilhamento empregado no BiCS aumentará a confiabilidade da resistência à gravação / apagamento e também aumentará as velocidades de gravação. Os chips serão adequados para uma vasta gama de aplicações, embora sejam principalmente voltados para drives de estado sólido (SSDs).

Planta dedicada sendo construída

Intel e Micron e Samsung já anunciaram ofertas separadas de NAND 3D, embora usem apenas designs de 32 camadas. Nesse sentido, eles já estão alguns passos atrás da parceria entre a Toshiba e a SanDisk. A Intel, em particular, afirmou que 75% de um terabyte pode caber em um pacote do tamanho de um dedo em sua memória 3D NAND e, assim, levar à especulação de que os SSDs de 10 TB se tornarão uma realidade.

A SanDisk planeja empregar a tecnologia 3D NAND em uma variedade de soluções, desde produtos removíveis até SSDs corporativos. A SanDisk espera que a produção comercial comece em 2016 em um site construído especificamente para a produção em 3D de flash.

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