Quando analisamos um novo tipo de memória da IBM chamado MRAM em agosto passado, não tínhamos ideia de que algo viria a menos de um ano depois..

De acordo com a Toshiba, seu trabalho na memória de acesso aleatório magnetorresistivo está pronto para dar frutos na forma de chips MRAM de 1 gigabit do tamanho de um selo postal que estão quase prontos para substituir o DRAM atualmente comum [link de assinatura].

Inicialização instantânea

A MRAM melhora a DRAM operando mais rapidamente e mantendo os dados mesmo quando a fonte de alimentação está desligada, o que significa que usa apenas 10% da quantidade de eletricidade. Além disso, um computador baseado em MRAM seria capaz de inicializar instantaneamente.

Os pesquisadores da Toshiba conseguiram superar a vulnerabilidade da MRAM para aquecer flutuações usando uma técnica semelhante à da IBM, chamada spin-RAM, que manipula a polaridade magnética da memória usando correntes elétricas..

Considerando que as vendas de DRAM em 2006 valiam mais de £ 16 bilhões, o impacto de uma tecnologia de substituição é garantido como substancial. As projeções atuais da Toshiba indicam que o MRAM está assumindo em torno de 2015.